グローバルファウンドリーズ半導体(Foundry) | 商品カテゴリー | 商品情報

グローバルファウンドリーズは、米国、ドイツ、シンガポール、フランスに製造拠点を持ち、独自のテクノロジーを提供するスペシャルティ・ファウンドリーのリーダーです。最先端FinFET、高耐圧BCDプロセスの他、シリコンゲルマニウム(SiGe)、高周波用RF-SOI、FD-SOI、シリコンフォトニクスなど特徴あるテクノジーをお使いいただけます。
シンデン・ハイテックスは、グローバルファウンドリーズのプラチナ・パートナーとして、経験豊かなスタッフによる技術サポート、ファウンドリーサービス、シャトルサービス、ターンキーサービスをご提供いたします。

Feature Rich CMOS

BCD/BCDLite

FinFET

RF-SOI

FD-SOI

Silicon Photonics
グローバルファウンドリーズのシャトルサービス、GlobalShuttleを利用した試作をご提供します。

＊GlobalShuttle MPWスケジュール(メーカーサイトへ)
お客様ご要望のサービス形態に対応して弊社パートナー会社を活用したターンキーサービス(チップ設計、ウェーハ製造、パッケージ、テスト)により最適なデバイスを実現します。

世界の生産拠点

Notes:

200mmのキャパシティ枚数については300mm相当に換算
*1 Pilot line start 2023　,　Ramp start Q4 / 2024
STMicroelectronicsとのパートナーシップ

バーチャルFab見学が出来ます！

※Malta, NY, USA　(音声なし)

パワーマネージメント、高耐圧、組込みメモリーをミックスした技術です。

30億個以上のハイエンドオーディオアンプユニット(BCDLite) の出荷実績があります。
15万枚以上の DDIC ウｴーハ出荷実績があります。
ハイパフォーマンス、電力効率の良い "SoC（Systems-on-a-Chip）"です。

FinFET生産が可能な世界3ファウンドリーの内のひとつです。さらに、独自のフィーチャをFinFETプロセスに追加しております。
ハイパフォーマンス、低消費電力のアプリケーションを可能にします。

5Gミリ波用のフロントエンドモジュールの設計会社上位3社のうち2社がGFを採用しております。

低消費電力、低ノイズ、低レイテンシー、高周波を実現します。

300mmウェーハのRFSOIを世界最初に大量・量産に対応しました。
パワーアンプと超高周波が特長です。

量産対応のファウンドリー中、業界最高のFmax をもつSiGe BiCMOSプロセスです。現在量産中のプロセスではFmax　400GHｚ、今後1THzまで性能向上するロードマップがあります。
より高データレートを非常に優れた電力効率で達成可能です。

長距離通信では電気的接続よりも5～10倍優れた電力効率があります。