グローバルファウンドリーズは、米国、ドイツ、シンガポール、フランスに製造拠点を持ち、独自のテクノロジーを提供するスペシャルティ・ファウンドリーのリーダーです。最先端FinFET、高耐圧BCDプロセスの他、シリコンゲルマニウム(SiGe)、高周波用RF-SOI、FD-SOI、シリコンフォトニクスなど特徴あるテクノジーをお使いいただけます。
シンデン・ハイテックスは、グローバルファウンドリーズのプラチナ・パートナーとして、経験豊かなスタッフによる技術サポート、ファウンドリーサービス、シャトルサービス、ターンキーサービスをご提供いたします。
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- Feature Rich CMOS
- BCD/BCDLite
- FinFET
- RF-SOI
- FD-SOI
- Silicon Photonics
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グローバルファウンドリーズのシャトルサービス、GlobalShuttleを利用した試作をご提供します。
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- お客様ご要望のサービス形態に対応して弊社パートナー会社を活用したターンキーサービス(チップ設計、ウェーハ製造、パッケージ、テスト)により最適なデバイスを実現します。
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Notes:
- 200mmのキャパシティ枚数については300mm相当に換算
- *1 STMicroelectronicsとのパートナーシップ
バーチャルFab見学が出来ます!
※Malta, NY, USA (音声なし)
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- パワーマネージメント、高耐圧、組込みメモリーをミックスした技術です。
- 30億個以上のハイエンド オーディオ アンプユニット(BCDLite) の出荷実績があります。
15万枚以上の DDIC ウエーハ出荷実績があります。
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- ハイパフォーマンス、電力効率の良い "SoC(Systems-on-a-Chip)"です。
- FinFET生産が可能な世界3ファウンドリーの内のひとつです。さらに、独自のフィーチャをFinFETプロセスに追加しております。
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- ハイパフォーマンス、低消費電力のアプリケーションを可能にします。
- 5Gミリ波用のフロントエンドモジュールの設計会社上位3社のうち2社がGFを採用しております。
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- 低消費電力、低ノイズ、低レイテンシー、高周波を実現します。
- 300mmウェーハのRFSOIを世界最初に大量・量産に対応しました。
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- パワーアンプと超高周波が特長です。
- 量産対応のファウンドリー中、業界最高のFmax をもつSiGe BiCMOSプロセスです。現在量産中のプロセスではFmax 400GHz、今後1THzまで性能向上するロードマップがあります。
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- より高データレートを非常に優れた電力効率で達成可能です。
- 長距離通信では電気的接続よりも5~10倍優れた電力効率があります。
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